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陽光手機學校:三星在閃存峰會上的那些黑科技?
來源: 日期:2018-09-07 23:38:13 人氣:標簽:擁有著半導體產業鏈的三星電子,在閃存顆粒的研制上也有著相當的實力。作為業界第一個研發出3d-nand技術并將之應用于固態硬盤上的廠商
第四代v-nand技術
三星作為3d-nand技術的鼻祖,一直都在研發更加可靠實用的3d nand產品。而在此次峰會上,三星也推出了讓人期待依舊的第四代v-nand技術。
第四代3d v-nand立體堆疊技術 大的特點就是層數的增加以及容量的增加,層數上,由第三代的48層增至64層;容量上,單晶粒 大容量512gb(64gb),依舊支持tlc顆粒,同時io接口傳輸速度也提高到了800mbps。
基于此新技術,三星可以在單顆芯片封裝內,做到1tb容量,甚至是13×11.5毫米的單芯片bga ssd都能做到1tb。
對標intel,推出“z-nand”技術
除了研發的新一代的v-nand技術,三星還宣布了新的“z-nand”閃存技術、新的主控。據悉,新的“z-ssd”硬盤,將介于傳統ssd和內存之間,性能高于傳統nvme、pram ssd,延遲則類似后者,能效也更高。
而從新聞稿看,z-nand并不是intel、美光搞的那種混合式3d xpoint,因為其基本結構和v-nand是相通的,只不過加入了特殊電路和主控設計,實現性能 大化。
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