彩電高壓電源失壓檢測(cè)電路如下圖所示。該電路為單路電壓欠壓、失壓檢測(cè)電路，大多用到電壓較高的被檢測(cè)電路中。在下圖(a)電路中，被檢測(cè)電壓通過r5、r6分壓電路，接到pnp檢測(cè)管vt1的基極；被檢測(cè)電壓正常時(shí)，r6上端電壓高于檢測(cè)管的發(fā)射極電壓，通過r2加到檢測(cè)管的基極，檢測(cè)管vt1截止，不向電壓翻轉(zhuǎn)電路送啟動(dòng)觸發(fā)電壓；當(dāng)被檢測(cè)電源發(fā)生開路造成失去電壓或負(fù)載電路短路造成電壓過低時(shí)，r6上端電壓降低，通過r2使檢測(cè)管vt1基極電壓低于發(fā)射極電壓，檢測(cè)管vt1導(dǎo)通，其導(dǎo)通后的集電極c電壓通過隔離電阻r4，將電壓加到電壓翻轉(zhuǎn)電路，致使保護(hù)電路動(dòng)作，進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)。
　　
　　在下圖(b)電路中，被檢測(cè)電壓通過r5、r6分壓電路，接到pnp檢測(cè)管vt1的基極，其發(fā)射極接微處理器的“pro”引腳。被檢測(cè)電壓正常時(shí)，r6上端電壓高于檢測(cè)管的發(fā)射極電壓，通過r2加到檢測(cè)管的基極，檢測(cè)管vt1截止，vt1的發(fā)射極為高電平，微處理器的“pro”引腳保持高電平，不采取保護(hù)措施。當(dāng)被檢測(cè)電源發(fā)生開路造成失去電壓或負(fù)載電路短路造成電壓過低時(shí)，r6上端電壓降低，通過r2使檢測(cè)管vt1基極電壓低于發(fā)射極電壓，檢測(cè)管vt1導(dǎo)通，其導(dǎo)通后的發(fā)射極變?yōu)榈碗娖剑妷和ㄟ^隔離電阻r4，將微處理器的“pro”引腳拉為低電平，微處理器判斷被檢測(cè)電路發(fā)生失壓故障，進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)。
　　
　　下圖(c)集電極c或微處理器的“pro”引腳為測(cè)試點(diǎn)。正常時(shí)為vt1的集電極c為低電平，檢測(cè)到失壓故障時(shí)，集電極c變?yōu)楦唠娖健Ｎ⑻幚砥鞯?ldquo;pro”引腳正常時(shí)為高電平，檢測(cè)到失壓故障時(shí)，變?yōu)榈碗娖健?/p>

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