檢測達林頓管（DT）的方法

達林頓晶體管DT（Dar1ington Transistor）亦稱復合晶體管。它采用復合過接方式，將兩只或更多只晶體管的集電極連在一起，而將第一只晶體管的發射極直接耦合到第二只晶體管的基極，依次級連而成， 后引出E、B、C三個電極。

　

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圖1是由兩只NPN或PNP型晶體管構成達林頓管的基本電路。假定達林頓管由N只晶體管（T_I-T_n）組成，每只晶體管的放大系數分別這h_FE1、h_FE2、h_FEn。則總放大系數約等于各管放大系數的乘積：
　h_FE≈h_FE1·h_FE2……h_FEn
因此，達林頓管具有很高的放大系數，值可以達到必千倍，甚至幾十萬倍。利用它不僅能構成高增益放大器，還能提高驅動能力，獲得大電流輸出，構成達林頓功率開關管。在光電耦合器中，也有用達林頓管作為接收管的。達林頓管產品大致分成兩類，一類是普通型，內部無保護電路，另一類則帶有保護電路。下面分別介紹使用萬用表檢測這兩類達林頓管的方法。

1．普通型達林頓管的檢測方法

因為達林頓管的E-B電極之間包含多個發射結，所以必須選擇萬用表R×10k檔進行檢測，該檔可提供較高的測試電壓。檢測內容包括：①識別電極；②區分NPN型、PNP型；③檢查放大能力。下面通過一個實例來闡述測試方法。
被測管為美國Motoro1a公司生產的MPSA6266型達林頓管，它屬于中功率、低噪聲硅達林頓管，外形如圖2所示。主要電參數為：h_FE=5000-200000，P_CM=600mW，噪聲系數N_F＜2dB。采用塑料封裝形式。
為敘述方便,現分別為三只腳管編上序號①、②、③（參見圖2）。選擇500型萬用表R×10k檔。由附錄四中查出該檔電壓比例系數K′=0.18V/格，采用讀取電壓法時的計算公式為V=0.18n′(V)；電壓比例系數K=1.8μA/格，讀取電流法計算公式是I=1.8n(μA)。全部測量數據整理成表1。表是帶括弧量為測試結論。
分析表1可以判定②為基極，并且被測管屬于PNP型。下面進一步識別E、C電極，同時檢查管子的放大能力。首先將黑表筆接①，紅表筆接③，并用兩手分別捏住①、③兩腳，電阻值為450kΩ；當用舌舔基極時，可以觀察到表針向右側作大幅度偏轉，指于35kΩ處。然后交換兩支表筆的位置，再用舌舔基極時，發現表針不動。由此判定：①為發射極，③為集電極，并且此管的放大能力很強。穿透電流I_CEO=9μA。
注意事項：不宜用R×1k檔檢查達林頓管的放大能力。因該檔電池電壓僅1.5V，很難使管子進入放大區工作。測量時不得用手摸住管殼。

2．改進型達林頓管

普通型達林頓管仍有不足之處。由于其電流增益很高，當溫度升高時，前級晶體管的發射結漏電流①將被逐級放大。又因為此電流具有正溫度系數，所以器件的熱穩定性較差。當環境溫度升高、漏電嚴重時，有可能導致管子誤導通現象發生。
改進型達林頓管增加子保護功能，典型電路如圖3所示。(a)圖為NPN型，(b)圖為PNP型。這類管子在C-E極之間反向并聯一只過壓保護二極管D（亦稱續流二極管）。當負載（例如繼電器線圈）突然斷電時，可將反向電動勢泄放掉，防止內部晶體管被擊穿。此外，T₁、T₂的發射結上還分別并入電阻R₁、R₂。D、R₁和R₂全部集成于單片達林頓管之中。
R₁、R₂是泄放電阻，可以為漏電流提供泄放支路。圖T1的發射結漏電流較小，故R1的阻值可適當大些。由于的漏電流經過放大后加至T₂的基極上，加之T₂本身亦存在漏電流，使得T₂發射結上的漏電流較大，因此應降低R₂的阻值，以滿足R₁>>R₂的關系。設計時通常取R₁為幾千歐，R₂為幾十歐，二者相差兩個數量級。
還應指出，由于增加了電阻R₁、R₂，測出的C-E極間擊穿電壓（V_(BR)CEO）已變成集電極-基極擊穿電壓值。
鑒于器件內部電路中包含D、R₁、R₂，所以在用萬用表檢測時必須注意以下事項，所免造成誤判斷：
第一：在B-C之間的PN結，應具有單向導電性，用讀取電壓法可測量V_BC正向電壓值。
第二：在B-E之間有兩個PN結，而且并聯著電阻R₁、R₂。由萬用表R×10k檔提供正向電壓時，借助于讀取電壓法可測出VBE值，并且V_BE＞V_BC；施以反向電壓時，發射結截止，測出的就是(R1 R2)電阻之和，大約為幾千歐，且阻值恒定，不隨電阻檔而改變。
第三：在E-C極間并有保護二極管D，因此當E-C間加反向電壓時，二極管應導通，采用讀取電壓法可測其正向壓降VF值。
檢測放大能力的方法與前面介紹的相同，不再贅述。

注意事項：

某些改進行達林頓管還在R₁、R₂各并聯一只二極管D₂、D₃，當B-E之間加反向電壓時，測出的就不是(R₁ R₂)電阻之和，而是兩只二極管的正向壓降之和(V_F2 V_F3)。

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