日本半導體分立器件型號命名方法

日本半導體分立器件型號命名方法

日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：

    第一部分：用數字表現器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。

    第二部分：日本電子工業協會JEIA注冊標記。S-表現已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。

    第三部分：用字母表現器件利用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P把持極可控硅、G-N把持極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。

    第四部分：用數字表現在日本電子工業協會JEIA登記的次序號。兩位以上的整數-從“11”開端，表現在日本電子工業協會JEIA登記的次序號；不同公司的性能雷同的器件可以利用同一次序號；數字越大，越是近期產品。

    第五部分： 用字母表現同一型號的改良型產品標記。A、B、C、D、E、F表現這一器件是原型號產品的改良產品。