湖南陽光電子技術學校簡介

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學校電話：13807313137，13308461099
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PN結電容

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增大字體作者：佚名來源：本站整理發(fā)布時間：2010-12-18 12:28:34

    PN結電容分為兩部分，勢壘電容和擴散電容。

    PN結交界處存在勢壘區(qū)。結兩端電壓變化引起積累在此區(qū)域的電荷數(shù)量的改變，從而顯現(xiàn)電容效應。

    當所加的正向電壓升高時，多子(N區(qū)的電子、P區(qū)的空穴)進入耗盡區(qū)，相當于對電容充電。當正向電壓減小時，又會有電子、空穴從耗盡區(qū)分別流入N區(qū)、P區(qū)，相當于電容放電。加反向電壓升高時，一方面會使耗盡區(qū)變寬，會使P區(qū)的空穴進一步遠離耗盡區(qū)，也相當于對電容的放電。加反向電壓減少時，就是P區(qū)的空穴、N區(qū)的電子向耗盡區(qū)流，使耗盡區(qū)變窄，相當于充電。

    PN結電容算法與平板電容相似，只是寬度會隨電壓變化。

    下面再看擴散電容。

    PN結勢壘電容主要研究的是多子，是由多子數(shù)量的變化引起電容的變化。而擴散電容研究的是少子。

   在PN結反向偏置時，少子數(shù)量很少，電容效應很少，也就可以不考慮了。在正向偏置時，P區(qū)中的電子，N區(qū)中的空穴，會伴著遠離勢壘區(qū)，數(shù)量逐漸減少。即離結近處，少子數(shù)量多，離結遠處，少子的數(shù)量少，有一定的濃度梯度。

    正向電壓增加時，N區(qū)將有更多的電子擴散到P區(qū)，也就是P區(qū)中的少子----電子濃度、濃度梯度增加。同理，正向電壓增加時，N區(qū)中的少子---空穴的濃度、濃度梯度也要增加。相反，正向電壓降低時，少子濃度就要減少。從而表現(xiàn)了電容的特性。

    PN結反向偏置時電阻大，電容小，主要為勢壘電容。正向偏置時，電容大，取決于擴散電容，電阻小。

    頻率越高，電容效應越顯著。

    在集成電路中，一般利用PN結的勢壘電容，即讓PN結反偏，只是改變電壓的大小，而不改變極性。

    不好意思，PN結電容與MOS電容相比，有什么優(yōu)點，還沒有查到，自己也還沒有想出來。所以先把自己弄清楚了的這些內容整理下，也希望自己在整理的過程中能有新的發(fā)現(xiàn)。近幾天，我會繼續(xù)查集成電路電容的一些東西，會把我認為好的內容盡量補全的。當然，如果哪位明白，指點一下，更是感激。錯誤與不妥之處，請多批評指正。

★★★★★湖南省陽光電子技術學校常年開設：手機維修培訓、家電維修培訓、電工培訓、電腦維修培訓、焊工培訓—常年面向全國招生(http://www.hnygpx.com 報名電話：13807313137)。安置就業(yè)。考試合格頒發(fā)全國通用權威證書：《中華人民共和國職業(yè)資格證》、《電工證》、《焊工證》。采用我校多年來獨創(chuàng)的“模塊教學法”,理論與實踐相結合、原理＋圖紙＋機器三位一體的教學模式，半天理論，半天實踐，通俗易懂，確保無任何基礎者也能全面掌握維修技能、成為同行業(yè)中的佼佼者。工作(一期不會，免費學會為止)。*

Tags：電容

作者：佚名

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