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什么叫內(nèi)存?大部分朋友應(yīng)該只是知道他是一小片的而已吧,但是它有什么性能與在電腦當(dāng)中是做什么的呢?也就是說他的作用是什么?也許并不是十分了解吧,本文就全面介紹電腦內(nèi)存與其相關(guān)的知識給大家.
內(nèi)存,全稱為內(nèi)存儲器,簡稱內(nèi)存,用于存放當(dāng)前待處理的信息和常用信息的半導(dǎo)體芯片。容量不大,但存取迅速。內(nèi)存括RAM、ROM和Cache。RAM(隨機(jī)存取存儲器)是電腦的主存儲器,人們習(xí)慣將RAM稱為內(nèi)存。RAM的 大特點是關(guān)機(jī)或斷電數(shù)據(jù)便會丟失。內(nèi)存越大的電腦,能同時處理的信息量越大。我們一般用刷新時間評價RAM的性能,單位為ns(納秒),刷新時間越小存取速度越快。
規(guī)格:
到目前為止出現(xiàn)過的內(nèi)存規(guī)格主要有FPM、EDO、SDRAM、RDRAM以及DDR SDRAM等。一般情況下,一塊主板只支持一種內(nèi)存規(guī)格,但也有些主板具有兩種內(nèi)存插槽,可以使用兩種規(guī)格的內(nèi)存。例如以前有些主板能使用EDO和SDRAM,現(xiàn)在有些主板能使用SDRAM和DDR SDRAM。目前主流的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)是DDR SDRAM,其按傳輸速率可分為DDR 200、DDR 266、DDR 333以及DDR 400,其標(biāo)準(zhǔn)工作頻率分別100MHz、133MHz、166MHz和200MHz,對應(yīng)的內(nèi)存?zhèn)鬏攷挿謩e為1.6GB/s、2.12GB/s、2.66GB/s和3.2GB/s,非標(biāo)準(zhǔn)的還有DDR 433,DDR 500等等。DDR 266和PC 2100其實是一回事,只是表述方法不同罷了。DDR 266是指的該內(nèi)存的工作頻率(實際工作頻率為133MHz,等效于266MHz 的SDRAM),而PC 2100則是指其內(nèi)存?zhèn)鬏攷挘?100MB/s)。
雙通道內(nèi)存技術(shù):
雙通道內(nèi)存技術(shù)其實是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù),它依賴于芯片組的內(nèi)存控制器發(fā)生作用,在理論上能夠使兩條同等規(guī)格內(nèi)存所提供的帶寬增長一倍。它的技術(shù)核心在于:芯片組(北橋)可以在兩個不同的數(shù)據(jù)通道上分別尋址、讀取數(shù)據(jù)可以達(dá)到128位的帶寬。雙通道DDR有兩個64bit內(nèi)存控制器,雙64bit內(nèi)存體系所提供的帶寬等同于一個128bit內(nèi)存體系所提供的帶寬,但是二者所達(dá)到的效果卻是不同的。雙通道體系含了兩個獨立的、具備互補性的智能內(nèi)存控制器,兩個內(nèi)存控制器都能夠在彼此間零等待的情況下同時運作。例如,當(dāng)控制器B準(zhǔn)備進(jìn)行下一次存取內(nèi)存的時候,控制器A就在讀/寫主內(nèi)存,反之亦然。兩個內(nèi)存控制器的這種互補“天性”可以讓有效等待時間縮減50%,雙通道技術(shù)使內(nèi)存的帶寬翻了一番。
古老的SD(Synchronous Dynamic)RAM:
也稱“同步動態(tài)內(nèi)存”,臺式機(jī)使用的SDRAM一般為168線的管腳接口,具有64bit的帶寬,工作電壓為3.3伏,目前 快的內(nèi)存模塊為5.5納秒。由于其 初的標(biāo)準(zhǔn)是采用將內(nèi)存與CPU進(jìn)行同步頻率刷新的工作方式,因此,基本上消除了等待時間,提高了系統(tǒng)整體性能。大家都知道CPU的核心頻率=系統(tǒng)外部頻率×倍頻,而內(nèi)存就是工作在系統(tǒng)的外部頻率下, 初的66MHz的外部工作頻率嚴(yán)重地影響了系統(tǒng)整體的工作性能,芯片組廠商又陸續(xù)制訂出100MHz、133MHz系統(tǒng)外頻的工作標(biāo)準(zhǔn)。這樣SDRAM內(nèi)存也就有了66MHz(PC66)、100MHz(PC100)和133MHz(PC133)三種標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。SDRAM內(nèi)存目前已被性能更好的DDR SDRAM內(nèi)存取代。
過去的DDR(Double Data Rate)SDRAM:DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的意思,嚴(yán)格上來說DDR內(nèi)存也屬于SDRAM的一種,是SDRAM內(nèi)存的加強版。在133MHz的前端總線頻率下,帶寬可達(dá)2.128GB/s。它的工作原理是其能在控制時鐘觸發(fā)沿的上、下沿都能進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸(而SDRAM只在控制時鐘的下降沿進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸),因此在一次控制信號過程中,DDR SDRAM能進(jìn)行兩次的數(shù)據(jù)交換。不過DDR內(nèi)存為保持較高的數(shù)據(jù)傳輸率,電氣信號必須要求能較快改變,因此采用了2.5伏的SSTL2標(biāo)準(zhǔn),其管腳數(shù)為184線,與SDRAM在主板上無法實現(xiàn)兼容。和之前的SDRAM內(nèi)存一樣,DDR內(nèi)存按工作的頻率高低在型號上可分為DDR200(又稱為PC1600,實際工作頻率為100MHZ)、DDR266等。目前主流的規(guī)格是DDR333和DDR400、DDR433和DDR500的內(nèi)存也已經(jīng)上市,只是目前能與其搭配的主板還很少。
當(dāng)今的 DDRⅡ:DDRⅡ是在DDR技術(shù)基礎(chǔ)上的改進(jìn),它可以在較低的頻率下具有更高的性能,更良好的穩(wěn)定性、更低的功耗和更低的制造成本。與DDR相比,DDRⅡ 主要的改進(jìn)是在內(nèi)存模塊速度相同的情況下,可以提供相當(dāng)于DDR內(nèi)存兩倍的帶寬。技術(shù)上講,DDRⅡ內(nèi)存上仍然只有一個DRAM核心,但是它可以并行存取,在每次存取中處理4個數(shù)據(jù)而不是兩個數(shù)據(jù)。DDR2內(nèi)存另一個改進(jìn)之處在于,它采用FBGA封裝方式替代了傳統(tǒng)的TSOP方式。然而,盡管DDRⅡ內(nèi)存采用的DRAM核心速度和DDR的一樣,但是我們?nèi)匀灰褂眯轮靼宀拍艽钆銬DRⅡ內(nèi)存,因為DDRⅡ的物理規(guī)格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣,DDRⅡ的針腳數(shù)量為240針,而DDR內(nèi)存為184針;其次,DDRⅡ內(nèi)存的VDIMM電壓為1.8V,也和DDR內(nèi)存的2.5V不同。
少見的奇偶校驗/ ECC內(nèi)存:
奇偶校驗內(nèi)存在每一字節(jié)(8位)外額外增加了一位作為錯誤檢測之用。比如一個字節(jié)中存儲了某一數(shù)值,把這每一位相加,若其結(jié)果是奇數(shù),校驗位就定義為1,反之則為0。當(dāng)CPU返回讀取儲存的數(shù)據(jù)時,它會再次相加前8位中存儲的數(shù)據(jù),計算結(jié)果是否與校驗位相一致。當(dāng)CPU發(fā)現(xiàn)二者不同就會發(fā)生死機(jī)。
ECC(Error Checking and Correcting)內(nèi)存也是在原來的數(shù)據(jù)位上外加位來實現(xiàn)的,類似奇偶校驗,只是在一組數(shù)據(jù)中多加入幾位足夠數(shù)據(jù)以記錄具體是哪一位數(shù)據(jù)發(fā)生錯誤,如8位數(shù)據(jù)就需要4位錯誤糾正碼。當(dāng)然在糾錯時系統(tǒng)的性能有著明顯降低。帶奇偶校驗/ ECC功能的內(nèi)存一般在PCB板上會多出一顆芯片(通常位于內(nèi)存PCB板的中央)。
SPD(Serial Presence Detect)
除了內(nèi)存芯片以外,內(nèi)存條上通常還有一顆稱之為SPD的小芯片,一般是具備SPD能力的內(nèi)存才會有。SPD是一個8針的256字節(jié)的電可擦寫可編程只讀存儲器芯片,位置一般在內(nèi)存條正面的右側(cè)。它記錄著內(nèi)存的速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數(shù)信息。開機(jī)時BIOS將自動讀取SPD中的信息,如果沒有SPD,就容易出現(xiàn)死機(jī)和致命錯誤的現(xiàn)象。它更是識別PC100內(nèi)存的一個重要標(biāo)志,是一個必要條件(即有之則不一定是,無之則肯定不是)。應(yīng)該注意的是一些廠商出的主板一定要BIOS檢測到SPD中的數(shù)據(jù)才能正常工作,而對于內(nèi)存上假的SPD來說,就會有不兼容或死機(jī)的現(xiàn)象出現(xiàn)。
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