DDR3內存和DDR2的區別

第二電腦網總結了DDR3內存和DDR2的區別，我們先來看一看技術規格對比表，從表中可以看到DDR3內存相對于DDR2內存，其實只是規格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構。

　　1、邏輯Bank數量

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。

　　2、封裝（Packages）---www.002pc.com

　　DDR3由于新增了一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

　　3、突發長度（BL，Burst Length）

　　由于DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BL，BurstLength）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit BurstChop（突發突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。

　　4、尋址時序（Timing）

　　就像DDR2從DDR轉變而來后延遲周期數增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數――寫入延遲（CWD），這一參數將根據具體的工作頻率而定。