用于NMOS的驅動電路圖及工作原理詳解

用于NMOS的驅動電路圖及工作原理詳解

      這個電路提供了如下的特性：

      1，用低端電壓和PWM驅動高端MOS管。

      2，用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需求的MOS管。

      3，gate電壓的峰值限制

      4，輸入和輸出的電流限制

      5，通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。

      6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。

 

      電路圖如下：

 

 
                        圖1 用于NMOS的驅動電路
 

      下面對NMOS驅動電路原理做一個簡單分析：

      Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。

      Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩只驅動管Q3和Q4不會同時導通。

      R2和R3提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。

      Q3和Q4用來提供驅動電流，由于導通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND 低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

      R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進行采樣，采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數值。這個數值可以通過R5和R6來調節。

      后，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面并聯加速電容。

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