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驅動電路及參數如圖3所示。
HCPL-316J左邊的VIN+,FAULT和RESET分別與微機相連。R7,R8,R9,D5,D6和C12 起輸入保護作用,防止過高的輸入電壓損壞IGBT,但是保護電路會產生約1µs延時,在開關頻率超過100kHz時不適合使用。Q3 主要起互鎖作用,當兩路PWM信號(同一橋臂)都為高電平時,Q3導通,把輸入電平拉低,使輸出端也為低電平。圖3中的互鎖信號Interlock,和Interlock2分別與另外一個316J Interlock2和Interlock1相連。R1和C2起到了對故障信號的放大和濾波,當有干擾信號后,能讓微機正確接受信息。
在輸出端,R5和C7關系到IGBT開通的快慢和開關損耗,增加C7可以明顯地減小dic/dt。首先計算柵極電阻:其中ION為開通時注入IGBT的柵極電流。為使IGBT迅速開通,設計,IONMAX值為20A。輸出低電平VOL=2v。可得
C3是一個非常重要的參數, 主要起充電延時作用。當系統啟動,芯片開始工作時,由于IGBT的集電極C端電壓還遠遠大于7V,若沒有C3,則會錯誤地發出短路故障信號,使輸出直接關斷。當芯片正常工作以后,假使集電極電壓瞬間升高,之后立刻恢復正常,若沒有C3,則也會發出錯誤的故障信號,使IGBT誤關斷。但是,C3的取值過大會使系統反應變慢,而且在飽和情況下,也可能使IGBT在延時時間內就被燒壞,起不到正確的保護作用,C3取值100pF,其延時時間
在集電極檢測電路用兩個二極管串連,能夠提高總體的反向耐壓,從而能夠提高驅動電壓等級,但二極管的反向恢復時間要很小,且每個反向耐壓等級要為1000V,一般選取BYV261E,反向恢復時間75 ns。R4和C5的作用是保留HCLP-316J出現過流信號后具有的軟關斷特性,其原理是C5通過內部MOSFET的放電來實現軟關斷。圖3中輸出電壓VOUT經過兩個快速三極管推挽輸出,使驅動電流 大能達到20A,能夠快速驅動1700v、200-300A的IGBT。