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圖1
以往的SMPS控制器中直接集成了驅(qū)動(dòng)器,這對(duì)于某些產(chǎn)品而言非常實(shí)用,但是,由于這種驅(qū)動(dòng)器的輸出峰值電流一般小于1A,所以應(yīng)用范圍比較有限。另外,驅(qū)動(dòng)器發(fā)出的熱還會(huì)造成電壓基準(zhǔn)的漂移。
隨著市場(chǎng)對(duì)“智能型”電源設(shè)備的呼聲日漸強(qiáng)烈,人們研制出了功能更加完善的SMPS控制器。這些新型控制器全部采用精細(xì)的CMOS工藝,供電電壓低于12V,集成的MOSFET驅(qū)動(dòng)器同時(shí)可作為電平變換器使用,用來(lái)將TTL電平轉(zhuǎn)換為MOSFET驅(qū)動(dòng)電平。以TC4427A為例,該器件的輸入電壓范圍(VIL = 0.8V,VIH = 2.4V)和輸出電壓范圍(與 大電源電壓相等,可達(dá)18V)滿足端到端(rail-to-rail)輸出的要求。
抗鎖死能力是一項(xiàng)非常重要的指標(biāo),因?yàn)镸OSFET一般都連接著感性電路,會(huì)產(chǎn)生比較強(qiáng)的反向沖擊電流。TC4427型MOSFET驅(qū)動(dòng)器的輸出端可以經(jīng)受高達(dá)0.5A的反向電流而不損壞,性能不受絲毫影響。
另外一個(gè)需要注意的問(wèn)題是對(duì)瞬間短路電流的承受能力,對(duì)于高頻SMPS尤其如此。瞬間短路電流的產(chǎn)生通常是由于驅(qū)動(dòng)電平脈沖的上升或下降過(guò)程太長(zhǎng),或者傳輸延時(shí)過(guò)大,這時(shí)高壓側(cè)和低壓側(cè)的MOSFET在很短的時(shí)間里處于同時(shí)導(dǎo)通的狀態(tài),在電源和地之間形成了短路。瞬間短路電流會(huì)顯著降低電源的效率,使用專用的MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以從兩個(gè)方面改善這個(gè)問(wèn)題:
1.MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電平的上升時(shí)間和下降時(shí)間必須相等,并且盡可能縮短。TC4427型驅(qū)動(dòng)器在配接1000pF負(fù)載的情況下,脈沖上升時(shí)間tR和下降時(shí)間tF大約是25ns。其他一些輸出峰值電流更大的驅(qū)動(dòng)器的這兩項(xiàng)指標(biāo)還可以更短。
圖2
2.驅(qū)動(dòng)脈沖的傳播延時(shí)必需很短(與開關(guān)頻率匹配),才能保證高壓側(cè)和低壓側(cè)的MOSFET具有相等的導(dǎo)通延遲和截止延遲。例如,TC4427A型驅(qū)動(dòng)器的脈沖上升沿和下降沿的傳播延遲均小于2ns(如圖2)。這兩項(xiàng)指標(biāo)會(huì)因電壓和溫度不同而變化。Microchip公司的產(chǎn)品在這項(xiàng)指標(biāo)上已經(jīng)躋身領(lǐng)先位置(同類產(chǎn)品此項(xiàng)指標(biāo)至少要大4倍,集成在SMPS控制器中的驅(qū)動(dòng)器這項(xiàng)指標(biāo)更不理想)。
以上這些問(wèn)題(直接關(guān)系到成本和可靠性)在獨(dú)立的、專用的驅(qū)動(dòng)器中都已得到了比較好的處理,但是在集成型器件或傳統(tǒng)的分立器件電路中卻遠(yuǎn)未如此。
典型應(yīng)用
便攜式計(jì)算機(jī)電源
圖3為一個(gè)高效率同步升壓變換器的電路,其輸入電壓范圍是5V至30V,可以與AC/DC整流器(14V/30V)相連,也可以用電池供電(7.2V至10.8V)。
圖3
圖3中的TC1411N是一種低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,TC1411N的輸出峰值電流為1A,由于使用+5V供電,可以降低因柵極過(guò)充電引起的截止延時(shí)。TC4431是高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器,輸出峰值電流可達(dá)1.5A。用這兩種器件驅(qū)動(dòng)的MOSFET可以承受持續(xù)30ns、大小為10A的漏極電流。
臺(tái)式電腦電源
圖4為一種臺(tái)式電腦的電源電路,其中的同步降壓變換器一般用于CPU的供電,其輸出電流一般不低于6A。這種電路可以提供大小可調(diào)的電壓,而目前常見的分立器件電源卻做不到。
圖4的電路要比圖3簡(jiǎn)單些,TC4428A在這里用作高壓側(cè)和低壓側(cè)的驅(qū)動(dòng)器,并且共享電源VDD;為了降低成本,電路中使用了N溝道MOSFET。 TC4428A的輸出能力較強(qiáng),用它驅(qū)MOSFET可以承受持續(xù)25ns、大小為10A的漏極電流。
圖4
功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為SMPS控制器中開關(guān)組件的 佳選擇,專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來(lái)了契機(jī)。那些與SMPS控制器集成在一起的驅(qū)動(dòng)器只適用于電路簡(jiǎn)單、輸出電流小的產(chǎn)品;而那些用分立的有源或無(wú)源器件搭成的驅(qū)動(dòng)電路既不能滿足對(duì)高性能的要求,也無(wú)法獲得專用單片式驅(qū)動(dòng)器件的成本優(yōu)勢(shì)。專用驅(qū)動(dòng)器的脈沖上升延時(shí)、下降延時(shí)和傳播延遲都很短暫,電路種類也非常齊全,可以滿足各類產(chǎn)品的設(shè)計(jì)需要。
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