內(nèi)存的傳輸類型：SDRAM、DDR、RDRAM

★★★★★【文章導(dǎo)讀】：內(nèi)存的傳輸類型：SDRAM、DDR、RDRAM具體內(nèi)容是：傳輸類型指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類型，不同類型的內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋透饔胁町悾趥鬏斅省⒐ぷ黝l率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場中主要有的內(nèi)存類型有SDRAM、DDRSDRAM和RDRAM三種，其中DDRSDRAM內(nèi)存占據(jù)了市場…

來源：日期：2013-10-24 19:28:42 人氣：標(biāo)簽：

　　傳輸類型指內(nèi)存所采用的內(nèi)存類型，不同類型的內(nèi)存?zhèn)鬏旑愋透饔胁町悾趥鬏斅省⒐ぷ黝l率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場中主要有的內(nèi)存類型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三種，其中DDR SDRAM內(nèi)存占據(jù)了市場的主流，而SDRAM內(nèi)存規(guī)格已不再發(fā)展，處于被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流，只有部分芯片組支持，而這些芯片組也逐漸退出了市場，RDRAM前景并不被看好。

　　SDRAM

SDRAM，即Synchronous DRAM（同步動態(tài)隨機(jī)存儲器），曾經(jīng)是PC電腦上為廣泛應(yīng)用的一種內(nèi)存類型，即便在今天SDRAM仍舊還在市場占有一席之地。既然是“同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”，那就代表著它的工作速度是與系統(tǒng)總線速度同步的。SDRAM內(nèi)存又分為PC66、PC100、PC133等不同規(guī)格，而規(guī)格后面的數(shù)字就代表著該內(nèi)存大所能正常工作系統(tǒng)總線速度，比如PC100，那就說明此內(nèi)存可以在系統(tǒng)總線為100MHz的電腦中同步工作。

　　與系統(tǒng)總線速度同步，也就是與系統(tǒng)時鐘同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數(shù)據(jù)存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鐘脈沖期由數(shù)據(jù)請求使用，因此數(shù)據(jù)可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM采用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM接口，帶寬為64位。SDRAM不僅應(yīng)用在內(nèi)存上，在顯存上也較為常見。

　　DDR

　　嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也常看到DDR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對于內(nèi)存廠商而言，只需對制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn)，即可實現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。

　　SDRAM在一個時鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

　　與SDRAM相比：DDR運用了更先進(jìn)的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時，存儲控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同存儲器模塊的數(shù)據(jù)。DDL本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鐘脈沖的上升沿和下降沿讀出數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRA的兩倍。

　　從外形體積上DDR與SDRAM相比差別并不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR內(nèi)存采用的是支持2.5V電壓的SSTL2標(biāo)準(zhǔn)，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。

　　RDRAM

　　RDRAM（Rambus DRAM）是美國的RAMBUS公司開發(fā)的一種內(nèi)存。與DDR和SDRAM不同，它采用了串行的數(shù)據(jù)傳輸模式。在推出時，因為其徹底改變了內(nèi)存的傳輸模式，無法保證與原有的制造工藝相兼容，而且內(nèi)存廠商要生產(chǎn)RDRAM還必須要加納一定專利費用，再加上其本身制造成本，就導(dǎo)致了RDRAM從一問世就高昂的價格讓普通用戶無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。

　　RDRAM的數(shù)據(jù)存儲位寬是16位，遠(yuǎn)低于DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面則遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于二者，可以達(dá)到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，能夠在時鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，內(nèi)存帶寬能達(dá)到1.6Gbyte/s。

　　普通的DRAM行緩沖器的信息在寫回存儲器后便不再保留，而RDRAM則具有繼續(xù)保持這一信息的特性，于是在進(jìn)行存儲器訪問時，如行緩沖器中已經(jīng)有目標(biāo)數(shù)據(jù)，則可利用，因而實現(xiàn)了高速訪問。另外其可把數(shù)據(jù)集中起來以分組的形式傳送，所以只要初用24個時鐘，以后便可每1時鐘讀出1個字節(jié)。一次訪問所能讀出的數(shù)據(jù)長度可以達(dá)到256字節(jié)。