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基于AT89S51的外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的讀寫(xiě)操作時(shí)序
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來(lái)源: 日期:2013-12-18 14:02:24 人氣:標(biāo)簽:
at89s51單片機(jī)對(duì)片外ram的讀和寫(xiě)兩種操作時(shí)序的基本過(guò)程是相同的。
1、讀片外ram操作時(shí)序
at89s51單片機(jī)若外擴(kuò)一片ram,應(yīng)將其wr(的反)引腳與ram芯片的we引腳連接,rd引腳與芯片oe(的反)引腳連接。ale信號(hào)的作用是鎖存低8位地址。
at89s51單片機(jī)讀片外ram操作時(shí)序如下圖所示。

在第一個(gè)機(jī)器周期的sl狀態(tài),ale信號(hào)由低變高(見(jiàn)①處),讀ram周期開(kāi)始。在s2狀態(tài),cpu把低8位地址送到po口總線上,把高8位地址送上p2口(在執(zhí)行“movx a,@dptr”指令階段才送高8位;若執(zhí)行“movx a,@r/”則不送高8位)。
ale的下降沿(見(jiàn)②處)用來(lái)把低8位地址信息鎖存到外部鎖存器74ls373內(nèi)。而高8位地址信息一直鎖存在p2口鎖存器中(見(jiàn)③處)。
在s3狀態(tài),po口總線變成高阻懸浮狀態(tài)④。在s4狀態(tài),執(zhí)行指令“movxa,@dptr”后使rd(的反)信號(hào)變?yōu)橛行Вㄒ?jiàn)⑤處),rd(的反)信號(hào)使被尋址的片外ram過(guò)片刻后把數(shù)據(jù)送上po口總線(見(jiàn)⑥處),當(dāng)rd回到高電平后(見(jiàn)⑦處),po總線變?yōu)閼腋顟B(tài)(見(jiàn)⑧處)。至此,讀片外ram周期結(jié)束。
2.寫(xiě)片外ram操作時(shí)序
向片外ram寫(xiě)(存)數(shù)據(jù),是at89s51單片機(jī)執(zhí)行“movx@dptr,a”指令后產(chǎn)生的動(dòng)作。這條指令執(zhí)行后,at89s51單片機(jī)的wr信號(hào)為低電平有效,此信號(hào)使ram的we端被選通。
寫(xiě)片外ram的操作時(shí)序如下圖所示。開(kāi)始的過(guò)程與讀過(guò)程類似,但寫(xiě)的過(guò)程是cpu主動(dòng)把數(shù)據(jù)送上po口總線,故在時(shí)序上,cpu先向po口總線上送完8位地址后,在s3狀態(tài)就將數(shù)據(jù)送到po口總線(見(jiàn)③處)。此間,po總線上不會(huì)出現(xiàn)高阻懸浮現(xiàn)象。

在s4狀態(tài),寫(xiě)控制信號(hào)wr有效(見(jiàn)⑤處),選通片外ram,稍過(guò)片刻,po口上的數(shù)據(jù)就寫(xiě)到ram內(nèi)了,然后寫(xiě)控制信號(hào)wr變?yōu)闊o(wú)效(見(jiàn)⑥處)。
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