數字晶體管的測試與一般小信號晶體管相比有較大的區別，主要測輸入截止電壓vi(off)(7bton)，輸入開啟電壓vi(on)(8bton)，輸出電壓vo(on)(9vcesat)，輸入截止電流ii(101eb)，輸出截止電流io(off)(111ces)，直流電流增益gi(12hfe)，電阻r1(22rl)，電阻r2(23r2)括號內對應表中的相應項。因電阻rl與r2不能直接測試，要測試準確比較困難。
　　
　　下面以dtc114esa舉例說明測試方法。由于該管基極與發射極卜并聯了一只l0kω電阻，基極上又串聯一只l0kω的電阻，如圖2所示。數字晶體管e-b結的特性與小信號晶體管e-b結的正反向特性有很大區別，一般晶體管的正向特性曲線如圖3所示，從0.7v左右正向電流隨正向電壓升高迅速上升，方向特性在6v～10v左右開始雪崩擊穿，像一只6v～10v的穩壓二極管（特性曲線如圖4所示）；而數字晶體管串聯及并聯電阻后，輸入特性曲線如圖5所示。

　　
　　當所加正向電壓小于0.7v時，晶體管可當作截止狀態，e、b極兩端的電壓除以電流，所得的電阻r為rl與r2之和；當所加正向電壓大于0.7v時，晶體管可作為導通，此時電阻r2與b-e結正向電阻并聯近似，由于并聯后的總阻值仍小，因此用b、e極的電壓除以電流所得的電阻約等于r1，再把r值減去rl值，就是r2的電阻值。

　　
　　數字晶體管的反向特性與一般小信號晶體管的反向特性差別更大，如圖6所示。
　　
　　由于b-e結上并聯了一個電阻r2，所以，在b-e結上一加反向電壓，就有反向電流（不要一看到小電流就認為是不良品），隨著反向電壓的增加，反向電流逐漸上升，呈現一典型電阻特性。b、e兩極所加電壓的差值與電流差值相比，就是電阻r(等于r1+r2)的值。當反向電壓加到大于晶體管的b-e結反向擊穿電壓時，b-e結雪崩擊穿，b-e結上并聯的電阻r2被短路，但曲線不是垂直向上，因為基極里有串聯電阻rl，其傾斜部分直線的斜率（電壓差除以電流差）就是電阻rl的值，再用r值減去r,1的值就是電阻r2的值。
　　
　　從理論上分析，用測正向特性的方法來測兩個電阻正確性比較差，因為加正向電壓時，晶體管的b-e結并不要到0.7v才導通，加到0.5v電壓就有一點點正向電流出現；當正向電壓加到0.7v時，正向電流迅速上升，但上升曲線也不完全是一條直線，因此所測得的總電阻r及電阻rl均有誤差，從圖5可看出兩條線段均帶有一點非線性，而用測反向特性的方法來測電阻，理論上講準確性高，因為b-e結反向擊穿前，e-b結的反向電流基本等于0，相當于完全截止，可以正確測出r，而反向雪崩擊穿后電阻r2被短路，完全導通，能夠正確測出rl。

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