大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)與制備的實(shí)現(xiàn)

★★★★★【文章導(dǎo)讀】：大面積單結(jié)集成型a－Si:H太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)與制備的實(shí)現(xiàn)具體內(nèi)容是：1引言眾所周知，利用太陽(yáng)能有許多優(yōu)點(diǎn)，光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源，但目前來(lái)講，要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費(fèi)者接受，提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本應(yīng)該是我們追求的大目標(biāo)，從目…

來(lái)源：日期：2013-12-8 11:33:29 人氣：標(biāo)簽：

1引言

眾所周知，利用太陽(yáng)能有許多優(yōu)點(diǎn)，光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源，但目前來(lái)講，要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費(fèi)者接受，提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本應(yīng)該是我們追求的大目標(biāo)，從目前國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。從工業(yè)化發(fā)展來(lái)看，重心已由單晶向多晶方向發(fā)展，主要原因?yàn)?[1]可供應(yīng)太陽(yáng)電池的頭尾料愈來(lái)愈少;[2] 對(duì)太陽(yáng)電池來(lái)講，方形基片更合算，通過(guò)澆鑄法和直接凝固法所獲得的多晶硅可直接獲得方形材料;[3]多晶硅的生產(chǎn)工藝不斷取得進(jìn)展，全自動(dòng)澆鑄爐每生產(chǎn)周期(50小時(shí))可生產(chǎn)200公斤以上的硅錠，晶粒的尺寸達(dá)到厘米級(jí);[4]由于近十年單晶硅工藝的研究與發(fā)展很快，其中工藝也被應(yīng)用于多晶硅電池的生產(chǎn)。

a-si:h太陽(yáng)電池的出現(xiàn)，猶如一道曙光，照亮了太陽(yáng)電池大規(guī)模地面向應(yīng)用的道路，經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展，其制備工藝日趨穩(wěn)定和成熟，它巧妙的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和廉價(jià)的制備工藝向人們說(shuō)明：太陽(yáng)能要從補(bǔ)充能源走向替代能源，這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)和制備方法是必須采納的，否則太陽(yáng)電池昂貴的價(jià)格將會(huì)成為其發(fā)展的瓶頸。本文闡述了a-si:h太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備分析，同時(shí)對(duì)影響其性能的工藝參數(shù)進(jìn)行了討論。

2大面積單結(jié)集成型a-si:h太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

2.1 a-si:h太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)

a-si:h太陽(yáng)電池是在玻璃基板上利用輝光放電沉積形成非晶硅pin結(jié)構(gòu)的平板式光電換能器件，單電池的結(jié)構(gòu)如圖1所示，當(dāng)太陽(yáng)光照射到電池上時(shí)，電池吸收光能產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，在光電池的內(nèi)建電場(chǎng)作用下，光生電子和空穴被分離，光電池的兩端出現(xiàn)異性電荷積累，即產(chǎn)生光生電壓，若在兩側(cè)引出電極并接上負(fù)載，則負(fù)載中就有光生電流流過(guò)，從而獲得功率輸出。圖2示出了a-si:h太陽(yáng)電池的等效電路。il為光生電流，id為二極管的暗電流，rsh為并聯(lián)電阻，rs為串聯(lián)電阻，rl為負(fù)載電阻。

目前，a-si:h單電池的開(kāi)路電壓uoc約為0.8v,工作電壓um約為0.55v,短路電流密度jsc約為13.4ma/cm2,工作電流密度jm約為11ma/cm2.這么小的電能輸出基本上沒(méi)有用處，若要輸出較高的電壓和較大的電流，就必須在結(jié)構(gòu)上采取有效的串并聯(lián)措施。

圖1a-si:h單電池結(jié)構(gòu) 圖2a-si:h太陽(yáng)電池的等效電路

2.2 集成型a-si:h太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

為了獲得一定的功率輸出，就必須把眾多的a-si:h太陽(yáng)電池有效地串并聯(lián)起來(lái)，然而，a-si:h太陽(yáng)電池是一種薄膜器件，靠外引線串聯(lián)既不可靠也不方便，因而在制備時(shí)就必須考慮在內(nèi)部集成。圖3示出了它的內(nèi)部集成結(jié)構(gòu)圖。圖中1、2、3、4為四個(gè)單電池，組合形式為串聯(lián)，電流流動(dòng)方向如圖中所示。

太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)與制備的實(shí)現(xiàn)大面積單結(jié)集成型a－si:h太陽(yáng)電池的結(jié)構(gòu)與制備的實(shí)現(xiàn)

圖3集成型a-si:h太陽(yáng)電池的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

若要設(shè)計(jì)一個(gè)給6v、4ahvrla蓄電池充電的a-si:h太陽(yáng)電池組件，那么所需的太陽(yáng)電池組件的工作電壓為：

um≥3×ut+ud=8v

式中：ut為vrla蓄電池的過(guò)充閾值電壓，ud為防反充二極管的正向壓降。

由于單節(jié)a-si:h太陽(yáng)電池的工作電壓約為0.55v,則至少需15節(jié)電池串聯(lián)，若按c/10的電流充電，則所需的a-si:h太陽(yáng)電池組件的輸出電流至少應(yīng)大于400ma,那么單節(jié)太陽(yáng)電池的面積至少應(yīng)大于37cm2,考慮到內(nèi)部串聯(lián)布線所占的面積，后單節(jié)太陽(yáng)電池的面積取為1×51cm2.

因此所要求的a-si:h太陽(yáng)電池組件為15節(jié)單電池面積為1×51cm2的太陽(yáng)電池串聯(lián)。

3大面積單結(jié)集成型a-si:h太陽(yáng)電池的制備分析

a-si:h太陽(yáng)電池由多層薄膜有機(jī)結(jié)合而成，制備時(shí)按圖4的工藝順序制作。

圖4a-si:h太陽(yáng)電池工藝順序

3.1tco的制備

tco玻璃是指在平板玻璃表面通過(guò)物理或化學(xué)鍍膜方法均勻的鍍上一層透明的導(dǎo)電氧化物薄膜(transparent conductive oxide)而形成的組件。對(duì)于薄膜太陽(yáng)能電池來(lái)說(shuō)，由于中間半導(dǎo)體層幾乎沒(méi)有橫向?qū)щ娦阅埽虼吮仨毷褂胻co玻璃有效收集電池的電流，同時(shí)tco薄膜具有高透和減反射的功能讓大部分光進(jìn)入吸收層。tco玻璃的生產(chǎn)工藝tco玻璃工藝主要分為超白浮法玻璃生產(chǎn)、tco鍍膜。超白浮法玻璃生產(chǎn)工藝難度較高，目前世界上主要供應(yīng)商有日本旭硝子、美國(guó)ppg、法國(guó)圣戈班等，國(guó)內(nèi)供應(yīng)廠家有限，目前僅金晶科技、南玻、信義能夠供貨。

tco為絨面sno2:f薄膜，它可由化學(xué)氣相沉積(cvd)工藝來(lái)制備，制備選用平直度好、透射率高、新鮮、無(wú)污染、無(wú)水腐蝕的浮法玻璃做襯底，將其切割成上述計(jì)算的面積大小，洗滌烘干后送入cvd爐開(kāi)始沉積，發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)如下：

sncl4+o2=sno2+2cl2

sncl4+2h2o=sno2+4hcl

沉積完后將其放在釔釹石榴石激光器的平臺(tái)上進(jìn)行激光刻劃，刻劃的多少由所要求的串聯(lián)電池?cái)?shù)決定。

3.2p層的制備

p層成份為a-si:h:b:c,制備工藝為等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(pecvd)，它是一種高頻(13.56mhz)輝光放電物理過(guò)程和化學(xué)反應(yīng)相結(jié)合的技術(shù)，此法的優(yōu)點(diǎn)是沉積速率快，成膜質(zhì)量好，針孔少，不易龜裂，沉積的氣源為sih4,ch4,b2h6和he的混合氣體。b2h6用來(lái)實(shí)現(xiàn)材料攙雜，he用作稀釋氣體，ch4的攙入是為了改善p層的光學(xué)性質(zhì)。通過(guò)改變沉積過(guò)程中的氣體分壓比，就可以獲得含c量不同的p層(a-si:h:b:c)薄膜，而不同的含c量，就有不同的光電性質(zhì)。

3.3i層的制備

i層成份為a-si:h,制備工藝仍為pecvd,沉積的氣源為sih4和h2.本征層是光生電流的產(chǎn)生區(qū)，因而其成膜質(zhì)量直接影響到a-si:h太陽(yáng)電池的性能，其性能主要由制備時(shí)的放電功率、基體溫度、反應(yīng)壓力和氣體流量來(lái)決定。成膜過(guò)程中，在保持一定的成膜速率下，盡量采用低的放電功率以提高薄膜的光電子學(xué)性能。

3.4n層的制備

n層為a-si:h:p,沉積的氣源為sih4、ph3、h2和he的混合氣體，其中ph3用來(lái)實(shí)現(xiàn)材料攙雜。a-si:h:p薄膜的結(jié)構(gòu)和光電性能同基體溫度、氣源配比、反應(yīng)壓力、放電功率和氣體流量等因素緊密相關(guān)。

在制備上述各層薄膜的過(guò)程中，反應(yīng)壓力、放電時(shí)間、氣體流量和反應(yīng)室溫度均由計(jì)算機(jī)自動(dòng)監(jiān)測(cè)和控制，所需的控制參數(shù)由軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)。

各層薄膜制備完畢后，將組件放到機(jī)械梳刻臺(tái)上械梳，刻線線寬應(yīng)小于0.2mm,硅刻線應(yīng)緊貼在激光刻線的近旁，兩者的公差為0.2~0.7mm,刻透率應(yīng)大于80%,目的是形成各單電池的非晶硅層，并使al與tco良好接觸。

3.5蒸鋁

采用真空蒸發(fā)的方法制做al電極，在集成型a-si:h太陽(yáng)電池中，鋁不但用作各子電池的負(fù)極，而且它將各單電池在結(jié)構(gòu)上串聯(lián)起來(lái)。除此之外，鋁薄膜還可反射沒(méi)有被非晶硅合金層吸收的長(zhǎng)波限光子，增加太陽(yáng)電池對(duì)光的利用率。

按上述要求設(shè)計(jì)制備出的集成型a-si:h太陽(yáng)電池組件，在美國(guó)chronar公司的太陽(yáng)電池測(cè)試臺(tái)上測(cè)出的電池輸出特性如圖5所示。測(cè)試條件為：標(biāo)準(zhǔn)光強(qiáng)，am1.5,100mw/cm2,25℃。從結(jié)果來(lái)看，達(dá)到了設(shè)計(jì)要求。