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MOS管發(fā)熱的可能性原因分析
來源: 日期:2013-11-14 15:26:14 人氣:標(biāo)簽:
圖1 mos管的工作原理
我們在開關(guān)電源中常用mos管的漏極開路電路,如圖2漏極原封不動地接負(fù)載,叫開路漏極,開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓,都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是mos管做開關(guān)器件的原理。當(dāng)然mos管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。
圖2 nmos管的開路漏極電路
在開關(guān)電源應(yīng)用方面,這種應(yīng)用需要mos管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如,dc-dc電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個mos管來執(zhí)行開關(guān)功能,這些開關(guān)交替在電感里存儲能量,然后把能量釋放給負(fù)載。我們常選擇數(shù)百khz乃至1mhz以上的頻率,因?yàn)轭l率越高,磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,mos管只相當(dāng)于一個導(dǎo)體。因此,我們電路或者電源設(shè)計(jì)人員 關(guān)心的是mos的 小傳導(dǎo)損耗。
我們經(jīng)常看mos管的pdf參數(shù),mos管制造商采用rds(on)參數(shù)來定義導(dǎo)通阻抗,對開關(guān)應(yīng)用來說,rds(on)也是 重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊定義rds(on)與柵極(或驅(qū)動)電壓vgs以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),但對于充分的柵極驅(qū)動,rds(on)是一個相對靜態(tài)參數(shù)。一直處于導(dǎo)通的mos管很容易發(fā)熱。另外,慢慢升高的結(jié)溫也會導(dǎo)致rds(on)的增加。mos管數(shù)據(jù)手冊規(guī)定了熱阻抗參數(shù),其定義為mos管封裝的半導(dǎo)體結(jié)散熱能力。rθjc的 簡單的定義是結(jié)到管殼的熱阻抗。
1.發(fā)熱情況有,電路設(shè)計(jì)的問題,就是讓mos管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致mos管發(fā)熱的一個原因。如果n-mos做開關(guān),g級電壓要比電源高幾v,才能完全導(dǎo)通,p-mos則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以u*i也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的 忌諱的錯誤。
2.頻率太高,主要是有時(shí)過分追求體積,導(dǎo)致頻率提高,mos管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì),電流太高,mos管標(biāo)稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以id小于 大電流,也可能發(fā)熱嚴(yán)重,需要足夠的輔助散熱片。
4.mos管的選型有誤,對功率判斷有誤,mos管內(nèi)阻沒有充分考慮,導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。
這是我 近在處理mos管發(fā)熱問題時(shí)簡單總結(jié)的。其實(shí)這些問題也是老生常談的問題,做開關(guān)電源或者mos管開關(guān)驅(qū)動這些知識應(yīng)該是爛熟于心,當(dāng)然有時(shí)還有其他方面的因素,主要就是以上幾種原因。
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