MOS-FET晶體管是一種通過表面靜電感應來控制溝道電導的電壓控制器件，與雙極性晶體管相比具有以下優點：
　　
　　當柵源電壓固定時．MOS-FET的漏極電流溫度系數是負的，即管子的輸出功率隨溫度的升高而下降，使MOS-FET從原理上消除了熱不穩定性二次擊穿的問題。MOS-FET管的跨導是不隨柵源電壓變化的恒定值，可以獲得線性功率放大：MOS-FET管輸入阻抗高，是電壓控制器件，這使輸入電路的功耗大大減小：總耗散功率大，漏源工作電壓可高達100V以上：MOS-FET功率開關器件具有較快的開關速度。
　　
　　金屬氧化物半導體場效應管按工作方式分為增強型和耗盡型兩類，而每類又分為N溝道和P溝道。N溝道的場效應管的襯底為P型材料，增強型的MOS-FET的柵偏壓為正，耗盡型的柵偏壓為負。
　　
　　在全固態廣播電視發射機中．其高頻功率放大器的功放管多采用的是N溝道增強型的MOS-FET。

　N溝道增強型MOS-FET在工作時．其柵源電壓VGs和漏源VDs均為正向電壓。當柵源電壓VGs=O(或<o)時．雖然漏源電壓VDs為正，但電流不能導通，故漏極電流lD=o，MOS-FET處于截止狀態。當柵源電壓Vcs>0時，并且Vcs>VT(VT為MOS-FET開啟電壓)．加上漏源電壓Vus后就會產生漏極電流ID，且VGS越大．1D也就越大，實現了vcs對ID的控制作用。

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