晶體管性能的檢測

★   1．反向擊穿電流的檢測      普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量晶體管發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆，發射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發射極E接黑表筆。     正常時，鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω（用R×100檔測，電阻值大于2kΩ），鍺大功率晶體管的電阻值為1.5kΩ（用 R×10檔測）以上。硅材料晶體管的電阻值應大于100kΩ（用R×10k檔測），實測值一般為500kΩ以上。     若測得晶體管C、E極之間的電阻值偏小，則說明該晶體管的漏電流較大；若測得C、E極之間的電阻值接近0，則說明其C、E極間已擊穿損壞。若晶體管C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說明該管的熱穩定性不良。    也可以用晶體管直流參數測試表的ICEO檔來測量晶體管的反向擊穿電流。測試時，先將hFE/ICEO選擇開關置于ICEO檔，選擇晶體管的極性，將被測晶體管的三個引腳插個測試孔，然后按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。  2．放大能力的檢測     晶體管的放大能力可以用萬用表的hFE檔測量。測量時，應先將萬用表置于ADJ檔進行調零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線后，再分別與三個插孔相接），萬用表即會指示出該管的放大倍數。     若萬用表無hFE檔，則也可使用萬用表的R×1k檔來估測晶體管放大能力。測量PNP管時，應將萬用表的黑表筆接晶體管的發射極E，紅表筆接晶體管的集電極C，再在晶體管的集電結（B、C極之間）上并接1只電阻（硅管為100kΩ鍺管為20 kΩ），然后觀察萬用表的阻值變化情況。若萬用表指針擺動幅度較大，則說明晶體管的放大能力較強。若萬用表指針不變或擺動幅較小，則說明晶體管無放大能力或放大能力較差。     測量NPN管時，應將萬用表的黑表筆接晶體管的集電極C，紅表筆接晶體管的發射極E，在集電結上并接1只電阻，然后觀察萬用表的阻值變化情況。萬用表指針擺動幅度越大，說明晶體管的放大能力越強。     也可以用晶體管直流參數測試表的hFE/測試功能來測量放大能力。測量時，先將測試表的hFE/ICEO檔置于hFE–100檔或hFE–300檔，選擇晶體管的極性，將晶體管插入測試孔后，按動相應的hFE鍵，再從表中讀出hFE值即可。 3．反向擊穿電壓的檢測     晶體管的反向擊穿電壓可使用晶體管直流參數測試表的V（BR）測試功能來測量。測量時，先選擇被測晶體管的極性，然后將晶體管插入測試孔，按動相應的V（BR）鍵，再從表中讀出反向擊穿電壓值。     對于反向擊穿電壓低于50V的晶體管，也可用圖5-58中所示的電路進行測試。將待測晶體管VT的集電極C、發射極E與測試電路的A端、B端相連（PNP 管的E極接A點，C極接B點；NPN管的E有接B點，C極接A點）后，調節電源電壓，當發光二極管LED點亮時，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。 　　★湖南省陽光電子技術學校常年開設：手機維修培訓、家電維修培訓、電腦維修培訓、網絡工程師培訓、電工培訓、焊工培訓--面向全國招生。安置就業。考試合格頒發全國通用權威證書。電話：0731-85579057,網站：http://www.hnygpx.com