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1、直流參數
(1)集電極一基極反向飽和電流Icbo,發射極開路(Ie=0)時,基極和集電極之間加上規定的反向電壓Vcb時的集電極反向電流,它只與溫度有關,在一定溫度下是個常數,所以稱為集電極一基極的反向飽和電流。良好的三極管,Icbo很小,小功率鍺管的Icbo約為1~10微安,大功率鍺管的Icbo可達數毫安,而硅管的Icbo則非常小,是毫微安級。
(2)集電極一發射極反向電流Iceo(穿透電流)基極開路(Ib=0)時,集電極和發射極之間加上規定反向電壓Vce時的集電極電流。Iceo大約是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)IcbooIcbo和Iceo受溫度影響極大,它們是衡量管子熱穩定性的重要參數,其值越小,性能越穩定,小功率鍺管的Iceo比硅管大。
(3)發射極---基極反向電流Iebo集電極開路時,在發射極與基極之間加上規定的反向電壓時發射極的電流,它實際上是發射結的反向飽和電流。
(4)直流電流放大系數β1(或hEF)這是指共發射接法,沒有交流信號輸入時,集電極輸出的直流電流與基極輸入的直流電流的比值,即:β1=Ic/Ib
2、交流參數
(1)交流電流放大系數β(或hfe)這是指共發射極接法,集電極輸出電流的變化量△Ic與基極輸入電流的變化量△Ib之比,即:β=△Ic/△Ib一般晶體管的β大約在10-200之間,如果β太小,電流放大作用差,如果β太大,電流放大作用雖然大,但性能往往不穩定。
(2)共基極交流放大系數α(或hfb)這是指共基接法時,集電極輸出電流的變化是△Ic與發射極電流的變化量△Ie之比,即:α=△Ic/△Ie因為△Ic<△Ie,故α<1。高頻三極管的α>0.90就可以使用α與β之間的關系:α=β/(1+β)β=α/(1-α)≈1/(1-α)
(3)截止頻率fβ、fα當β下降到低頻時0.707倍的頻率,就是共發射極的截止頻率fβ;當α下降到低頻時的0.707倍的頻率,就是共基極的截止頻率fαofβ、fα是表明管子頻率特性的重要參數,它們之間的關系為:fβ≈(1-α)fα
(4)特征頻率fT因為頻率f上升時,β就下降,當β下降到1時,對應的fT是全面地反映晶體管的高頻放大性能的重要參數。
3、極限參數
(1)集電極 大允許電流ICM當集電極電流Ic增加到某一數值,引起β值下降到額定值的2/3或1/2,這時的Ic值稱為ICM。所以當Ic超過ICM時,雖然不致使管子損壞,但β值顯著下降,影響放大質量。
(2)集電極----基極擊穿電壓BVCBO當發射極開路時,集電結的反向擊穿電壓稱為BVEBO。
(3)發射極-----基極反向擊穿電壓BVEBO當集電極開路時,發射結的反向擊穿電壓稱為BVEBO。
(4)集電極-----發射極擊穿電壓BVCEO當基極開路時,加在集電極和發射極之間的 大允許電壓,使用時如果Vce>BVceo,管子就會被擊穿。
(5)集電極 大允許耗散功率PCM集電流過Ic,溫度要升高,管子因受熱而引起參數的變化不超過允許值時的 大集電極耗散功率稱為PCM。管子實際的耗散功率于集電極直流電壓和電流的乘積,即Pc=Uce×Ic.使用時慶使Pc<PCM。PCM與散熱條件有關,增加散熱片可提高PCM。
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