常 見 SDRAM 編 號 識 別.

在選購SDRAM內(nèi)存條時，首先要明白內(nèi)存芯片編號的含義，在其編號中包括以下幾個內(nèi)容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標志等。通過對這些參數(shù)的分析比較，就可以正確認識和理解該內(nèi)存條的規(guī)格以及特點。(1)世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商的前綴標志如下：▲ HY HYUNDAI ------- 現(xiàn)代▲ MT Micron ------- 美光▲ GM LG-Semicon▲ HYB SIEMENS ------ 西門子▲ HM Hitachi ------ 日立▲ MB Fujitsu ------ 富士通▲ TC Toshiba ------ 東芝▲ KM Samsung ------ 三星▲ KS KINGMAX ------ 勝創(chuàng) (2)內(nèi)存芯片速度編號解釋如下:★ -7 標記的SDRAM 符合 PC143 規(guī)范,速度為7ns.★ –75標記的SDRAM 符合PC133規(guī)范,速度為7.5ns.★ –8標記的SDRAM 符合PC125規(guī)范,速度為8ns.★ –7k/-7J/10P/10S標記的SDRAM 符合PC100規(guī)范,速度為10ns.★ –10K標記的SDRAM符合PC66規(guī)范,速度為15ns.(3) 編 號 形 式HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj其中5a中的a表示芯片類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.dd表示帶寬。f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.g表示版本號，B—第三代。h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)10—100MHZ(非PC100)。例：1） HY57V651620B TC-75按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.2) HY57V653220B TC-7按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ.