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作者:佚名 來源:本站整理 發(fā)布時間:2010-10-07 00:41:06
對于一般照明而言,人們更需要白色的光源。1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石(YAG)封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫燒結(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射,峰值550nm。藍光LED基片安裝在碗形反射腔中,覆蓋以混有YAG的樹脂薄層,約200-500nm。 LED基片發(fā)出的藍光部分被熒光粉吸收,另一部分藍光與熒光粉發(fā)出的黃光混合,可以得到得白光。現(xiàn)在,對于InGaN/YAG白色LED,通過改變YAG熒光粉的化學組成和調(diào)節(jié)熒光粉層的厚度,可以獲得色溫3500-10000K的各色白光。(如下圖所示)
芯片數(shù) |
激發(fā)源 |
發(fā)光材料 |
發(fā)光原理 |
1 |
藍色LED |
InGaN/YAG |
InGaN的藍光與YAG的黃光混合成白光 |
藍色LED |
InGaN/熒光粉 |
InGaN的藍光激發(fā)的紅綠藍三基色熒光粉發(fā)白光 |
藍色LED |
ZnSe |
由薄膜層發(fā)出的藍光和在基板上激發(fā)出的黃光混色成白光 |
紫外LED |
InGaN/熒光粉 |
InGaN的紫外激發(fā)的紅綠藍三基色熒光粉發(fā)白光 |
2 |
藍色LED 黃綠LED |
InGaN、GaP |
將具有補色關(guān)系的兩種芯片封裝在一起,構(gòu)成白色LED |
3 |
藍色LED 綠色LED 紅色LED |
InGaN AlInGaP |
將發(fā)三原色的三種小片封裝在一起,構(gòu)成白色LED |
多個 |
多種光色的LED |
InGaN、GaP AlInGaP |
將遍布可見光區(qū)的多種光芯片封裝在一起,構(gòu)成白色LED |
表一列出了目前白色LED的種類及其發(fā)光原理。目前已商品化的第一種產(chǎn)品為藍光單晶片加上YAG黃色熒光粉,其 好的發(fā)光效率約為25流明/瓦,YAG多為日本日亞公司的進口,價格在20個專業(yè)課程的學費歡迎查看/公斤;第二種是日本住友電工亦開發(fā)出以ZnSe為材料的白光LED,不過發(fā)光效率較差。
從表中也可以看出某些種類的白色LED光源離不開四種熒光粉:即三基色稀土紅、綠、藍粉和石榴石結(jié)構(gòu)的黃色粉,在未來較被看好的是三波長光,即以無機紫外光晶片加R.G.B三顏色熒光粉,用于封裝LED白光,預計三波長白光LED今年有商品化的機機會。但此處三基色熒光粉的粒度要求比較小,穩(wěn)定性要求也高,具體應(yīng)用方面還在探索之中。
采用LED光源進行照明,首先取代耗電的白熾燈,然后逐步向整個照明市場進軍,將會節(jié)約大量的電能。近期,白色LED已達到單顆用電超過1瓦,光輸出25流明,也增大了它的實用性。表二和表三列出了白色LED的效能進展。
表 二 單 顆 白 色L ED 的 效 能 進展
年份 |
發(fā)光效能(流明/瓦) |
備注 |
1998 |
5 |
|
1999 |
15 |
相若白熾燈 |
2001 |
25 |
相若鹵鎢燈 |
2005 |
50 |
估計 |
表三 長遠發(fā)展目標
單顆白色LED |
輸入功率 |
10瓦 |
發(fā)光效能 |
100流明/瓦 |
輸出光能 |
1000流明/瓦 |
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